張有潤(rùn) 副教授研究方向：1.第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)器件及芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性及應(yīng)用技術(shù)的研究； （以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、 新一代移動(dòng)通信、能源互聯(lián)網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸，對(duì)節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、催生新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)將發(fā)揮重要作用。） 2.硅基光電集成電路的研究及產(chǎn)品研發(fā) （現(xiàn)階段研發(fā)的重點(diǎn)方向包括：高速低噪聲光電探測(cè)器IC、高速光耦、先進(jìn)的光電傳感器工藝開(kāi)發(fā)、激光雷達(dá)單片關(guān)鍵工藝及核心芯片）
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張波1 教授，博士生導(dǎo)師研究方向：致力于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究，研究?jī)?nèi)容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導(dǎo)體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成、高壓功率集成電路、電源管理集成電路、數(shù)字輔助功率集成及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）
關(guān)注：277
袁穎 教授，博士生導(dǎo)師研究方向：1.研究方向：電子材料與器件、材料化學(xué)與工程 研究?jī)?nèi)容1：復(fù)合介質(zhì)材料 可用于微波頻段的陶瓷與樹(shù)脂復(fù)合介質(zhì)基板材料的組成設(shè)計(jì)、制備方法以及性能測(cè)試。 研究?jī)?nèi)容2：功能陶瓷材料 微波介質(zhì)陶瓷組成設(shè)計(jì)、介質(zhì)陶瓷基板材料、濾波器陶瓷及器件、低溫共燒LTCC微波陶瓷、玻璃陶瓷材料。
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趙辰陽(yáng) 特聘副研究員研究方向：主要從事新能源的儲(chǔ)存與轉(zhuǎn)化研究，結(jié)合原位電化學(xué)表征（原位拉曼、XRD等）與DFT第一性原理模擬計(jì)算，主要涉及硫化物全固態(tài)電池、鋰/鈉離子電池、燃料電池和電催化反應(yīng)等。
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劉琛 助理教授研究方向：（1）全固態(tài)鋰、鈉離子電池材料的研究：聚合物基固態(tài)電解質(zhì)； （2）可穿戴柔性儲(chǔ)能器件； （3）高分子復(fù)合材料的功能化設(shè)計(jì)；
關(guān)注：344- 關(guān)注：323
白樹(shù)林 教授，博士生導(dǎo)師研究方向： 2D/3D石墨烯填充高聚物復(fù)合材料 高聚物復(fù)合材料的制備工藝、熱/電/力學(xué)性能研究 長(zhǎng)纖維增強(qiáng)熱塑性復(fù)合材料的制備、性能及工程應(yīng)用 應(yīng)用于微納米器件熱管理的熱界面材料研制與應(yīng)用
關(guān)注：315- 關(guān)注：497
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