丁孫安 教授
| 專家姓名: | 丁孫安 | 職務: | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
1. 硅化物的表面界面研究榮獲中國科學院自然科學成果獎； 2. 率先發(fā)表了不同結構 GaN 單晶薄膜的電子能帶結構及 GaN/GaAs 異質(zhì)結勢壘的實驗測量結果, 對后來的各種能帶理論研究和新型發(fā)光器件研發(fā)起到了開創(chuàng)性的指導作用； 3. 首次用實驗方法驗證了納米硅量子點的量子效應并獲得其能帶結構； 4. 深入研究金屬氧化物單晶薄膜材料的表面與電學性質(zhì)，并應用這種新材料開發(fā)出一種高靈敏度氣體探測器上 |
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| 自我介紹： | ||||
1986年和1988年分別獲得清華大學電子工程系學士和碩士學位；1992年獲得中科院半導體所物理學博士學位。1994-1996于德國馬普學會的弗里茲-哈伯研究所(Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft) 完成博士后工作，又先后在日本廣島大學 (日本科學技術振興事業(yè)團研究員)和美國緬因大學從事科學研究工作。2000-2014年，在美國朗訊科技和英特爾公司從事技術研究和產(chǎn)品開發(fā)工作。 2014年入選蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖雙百人才（國際型學科領軍人才）?，F(xiàn)任中科院蘇州納米所研究員、博士生導師，納米真空互聯(lián)實驗站副總指揮。 |
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| 所在單位: | 中國科學技術大學 | |||
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