王智杰 研究員
| 專家姓名: | 王智杰 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
納米技術(shù)，光電化學(xué)，新能源（太陽(yáng)能電池、超級(jí)電容器、離子電池等） |
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| 自我介紹： | ||||
2004年本科畢業(yè)于浙江大學(xué)，2009年博士畢業(yè)于中科院半導(dǎo)體研究所。隨后在美國(guó)懷俄明大學(xué)、密歇根大學(xué)以及德國(guó)伊爾梅諾理工大學(xué)等知名高校工作。德國(guó)物理學(xué)會(huì)會(huì)員。2015年進(jìn)入中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。與國(guó)外諸多知名科研單位有較深的合作關(guān)系。 取得的重要科研成果： （1）系統(tǒng)研究了空穴從染料激發(fā)態(tài)到P型GaP的注入。研究表明，在半導(dǎo)體表面存在耗盡層的條件下，空穴的注入效率近于100%。并運(yùn)用wxAMPS軟件結(jié)合連續(xù)態(tài)模型對(duì)空穴注入的過(guò)程進(jìn)行計(jì)算擬合，從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面驗(yàn)證了空穴高效率注入的存在，填補(bǔ)了P型半導(dǎo)體在光電化學(xué)研究領(lǐng)域的空白。（2）利用瞬態(tài)光譜法和光電化學(xué)法驗(yàn)證了空穴從量子點(diǎn)激發(fā)態(tài)到GaP注入的存在，深化了對(duì)量子點(diǎn)材料電荷遷移的認(rèn)識(shí)，拓展了量子點(diǎn)材料在光電化學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。（3）將鐵酸鉍鐵電薄膜制備成光電化學(xué)電極，研究不同鐵電極化條件對(duì)于電極光解水效率及方式的影響。此工作拓展了光解水材料的研究領(lǐng)域，可實(shí)現(xiàn)單一電極兼具產(chǎn)氫產(chǎn)氧功能，為光解水反應(yīng)的智能化控制奠定了基礎(chǔ)。 |
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| 所在單位: | 中科院半導(dǎo)體研究所 | |||
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