張韻 研究員
| 專家姓名: | 張韻 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
基于GaN基半導(dǎo)體材料的紫外光電器件及應(yīng)用 基于GaN基半導(dǎo)體材料的射頻器件及集成電路 基于GaN基半導(dǎo)體材料的電力電子器件及應(yīng)用 |
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| 自我介紹： | ||||
清華大學(xué)電子工程系學(xué)士，佐治亞理工學(xué)院電子及計算機(jī)工程系博士。曾在美國高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗。 2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進(jìn)研究項目局（DARPA）在深紫外光電探測器領(lǐng)域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗和世界領(lǐng)先的成果。迄今為止已在國際高水平學(xué)術(shù)期刊發(fā)表GaN方面文章20余篇，及40余篇國際會議文章和1項美國專利申請。相關(guān)研究成果先后4次被半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)雜志Semiconductor Today作為熱點(diǎn)報道并獲得廣泛關(guān)注。 |
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| 所在單位: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | |||
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