邵永亮 副教授
| 專家姓名: | 邵永亮 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
1.氮化物半導(dǎo)體晶體的生長、加工及其結(jié)構(gòu)和性能研究。 2.氮化物半導(dǎo)體材料在能源領(lǐng)域應(yīng)用。 3.背散射電子衍射技術(shù)在單晶材料結(jié)構(gòu)與性能分析的應(yīng)用。 |
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| 自我介紹： | ||||
主要從事寬禁帶半導(dǎo)體氮化物單晶材料的生長、加工和性能研究，以及SEM、EDS和背散射電子衍射（EBSD）測試技術(shù)的研究工作，特別是在GaN晶體材料領(lǐng)域取得了一系列原創(chuàng)性成果。提出了一種通過晶體取向數(shù)據(jù)分析單晶應(yīng)力的方法，拓展了EBSD在化合物半導(dǎo)體晶體材料的結(jié)構(gòu)、缺陷和應(yīng)力分析領(lǐng)域的應(yīng)用；設(shè)計(jì)了多種新型緩沖襯底實(shí)現(xiàn)了GaN單晶中缺陷和應(yīng)力的控制，掌握了高質(zhì)量GaN單晶生長關(guān)鍵技術(shù)，主持國家級(jí)項(xiàng)目1項(xiàng)，參與國家和省級(jí)項(xiàng)目5項(xiàng)，2019年獲山東省重點(diǎn)扶持區(qū)域引進(jìn)急需緊缺人才項(xiàng)目支持。發(fā)表SCI收錄學(xué)術(shù)論文70余篇，其中第一作者或通訊作者的SCI收錄論文13篇。解決了相關(guān)技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向企業(yè)的關(guān)鍵問題，提高了GaN單晶生長與襯底加工的技術(shù)成熟度，作為主要骨干成員在GaN單晶襯底技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化過程中起到重要作用。 |
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| 所在單位: | 齊魯工業(yè)大學(xué) | |||
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