制作方法：
自主專利技術主成分含量：
>99.9%存儲條件：
專業(yè)儲存密度：
密度高純度：
>99.9%莫氏硬度：
粉體顏色：
黑色目數(shù)：
0.1～1.00μm品級：
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主要技術指標:
晶須直徑：0.1～1.00μm ;
晶須長度：10～100μm;
晶須長徑比：>10;
晶須形貌：光滑直晶，含少量網(wǎng)狀晶須;
晶須中SiC含量：>99.9%。
光滑直晶，含少量網(wǎng)狀晶須
碳化硅（SiC）具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設計等優(yōu)異特性，是極具應用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中，碳化硅的高導熱系數(shù)奠定了其在第三代半導體材料中
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