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C80 - 高倍率、低溫型
采用創(chuàng)新工藝技術(shù)，在LFP的外周形成納米級(jí)厚度的導(dǎo)電層，改善了材料自身的導(dǎo)電性，有效地提高了材料的放電倍率；
材料的一次顆粒大小約在50~100nm 之間，顆粒之間形成網(wǎng)狀連接，從而能夠滿(mǎn)足大倍率充放電要求。
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