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面議型號
V-Sorb 4804比表面積測試儀器品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無誤差率:
-分辨率:
-重現(xiàn)性:
-儀器原理:
其他分散方式:
-測量時間:
-測量范圍:
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產(chǎn)品優(yōu)勢
集裝式真空管路系統(tǒng)
一體化集裝式真空管路系統(tǒng) ,有效減少管路連接點(diǎn),提高系統(tǒng)極限真空度
緊湊型集裝式系統(tǒng),提高系統(tǒng)溫度均勻性,減小死體積空間,可有效提高測試精度
面板式配件安裝模式,零配件可獨(dú)立拆卸,有利于安裝及后期維護(hù)
數(shù)字化壓力測量及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
數(shù)字量輸出的壓力及溫度傳感器,比采用模擬量輸出的同類產(chǎn)品精度更高,抗干擾能力更強(qiáng)
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的RS485或RS232通訊模式,通訊總線上隨需添加多只傳感器,可擴(kuò)展性高
高精度數(shù)字量壓力傳感器,壓力輸出分辨率為1 Pa,相比同行業(yè)普遍采用的4 Pa分辨率,有利于提高測試精度
媲美國際品牌數(shù)據(jù)精度及專業(yè)認(rèn)可
采用國際同類知名品牌一致的儀器檢測及驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn),測試數(shù)據(jù)與國際接軌
測試過程中測量誤差由軟件動態(tài)消除,測試完成后無數(shù)據(jù)二次誤差消除操作,不同操作人員測試結(jié)果具有高度一致性和可靠性
產(chǎn)品技術(shù)通過機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會組織的科技成果鑒定,達(dá)**
測試數(shù)據(jù)經(jīng)計(jì)量院計(jì)量認(rèn)證,獲得計(jì)量認(rèn)可證書
多款產(chǎn)品進(jìn)入歐美高校測試實(shí)驗(yàn)室,與國際品牌競爭,獲得客戶的高度認(rèn)可
V-Sorb 4804測試等溫線
國際知名品牌測試等溫線
技術(shù)參數(shù)
測試原理:靜態(tài)容量法;
測試功能:吸附及脫附等溫線測定,BET法比表面積測定(單點(diǎn)及多點(diǎn)),Langmuir法比表面積測定,t-plot圖法外比表面積測定、BJH總孔體積及孔徑分析,樣品真密度測定;
測試范圍:比表面積 0.0005(m2/g)及以上;0.35 nm-500 nm(孔徑);0.0001 cc/g及以上(總孔體積)
測試精度:比表面積重復(fù)精度≤±1.0%;*可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02 nm,真密度≤±0.04%;外表面積≤±1.5%;
測試模式:“單一氮?dú)狻焙汀暗獨(dú)?氦氣”兩種測試模式結(jié)合,靈活切換,滿足不同特性樣品測試需求;
樣品數(shù)量:同時測試4個樣品以及同時進(jìn)行4個樣品脫氣處理(選配樣品處理機(jī)),樣品測試系統(tǒng)和樣品處理系統(tǒng)相互獨(dú)立,并且樣品測試和樣品脫氣處理可以同時進(jìn)行,避免了測試管路受到污染,從而進(jìn)一步提高測試的精度和儀器使用壽命;
測試報告
BET比表面積
BJH孔徑分布圖
吸脫附等溫線
等溫線log圖
行業(yè)應(yīng)用
電池材料
石墨、磷酸鐵鋰、錳酸鋰、鈷酸鋰、三元材料等正負(fù)極材料
石油化工
炭黑、白炭黑、鈦白粉,氧化鋁,分子篩催化劑,樹脂,碳纖維等
醫(yī)藥
蒙脫石散,硬脂酸鎂、微粉硅膠、滑石粉等潤滑劑,淀粉類、糖類等稀釋劑,氫氧化鋁等藥用輔料
環(huán)保材料
松木、活性炭、竹炭化學(xué)炭各種碳材料,沸石分子篩等
納米材料
MOF材料,碳納米管,石墨烯等
其他粉末、顆粒材料
氧化鎂,氧化鋯,氧化鈣,金屬粉末,陶瓷,礦粉等
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
“儲氫已經(jīng)成為一種戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),在未來,對我們國家的發(fā)展是至關(guān)重要?!薄獓益V合金材料工程技術(shù)研究中心副主任 重慶新型儲能材料與裝備研究院固態(tài)儲氫研發(fā)中心負(fù)責(zé)人 陳玉安4月,美麗的山
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時,Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利