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HERA-DLTS
高能分辨率深能級瞬態(tài)譜（DLTS）
PhysTech在1990年推出了**臺數(shù)字DLTS，隨著電腦技術的發(fā)展，使得在短時間內進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎上，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉換、拉普拉斯轉換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。與其他系統(tǒng)相比，HERA-DLTS具有無法比擬的能量分辨率。
半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質的重要手段。此設備根據(jù)半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容（△C～t）技術和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。
特點：
自動接觸檢查
常規(guī)測試和加強軟件
自動電容補償
三終端FET電流瞬態(tài)測量
大電容和濃度范圍
靈活性高、模塊化硬件
支持各種冷卻倉和溫度控制器
傅里葉轉換（F-DLTS），比例窗口和用戶自定義校正功能
DLTFS（深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀）評價
操作模式：
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS（等溫瞬態(tài)光譜儀）
缺陷分析
俘獲截面測量
I/V， I/V(T)理查森標繪圖
C/V， C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS（光子誘導瞬態(tài)譜）
DLOS(特殊系統(tǒng))
規(guī)格：
分辨率： | 1*108 atoms/cm3 |
脈沖發(fā)生器 | |
| 電壓范圍： | ±20.4V（±102opt.） |
| 電壓分辨率: | 0．625mV |
| **電流: | ＞±15mA |
| 脈沖寬度: | 1μs-1000s |
| 快速脈沖選配 | |
| 電容表 | |
| HF信號: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范圍[pF]: | 3，30，300，3000(自動或手動) |
| 電容補償: | 0.1-3000 pF（自動或手動） |
| 靈敏度: | 0.01 fF |
| 電壓測量 | |
| 范圍: | ±10V |
| 靈敏度: | ＜1μV |
| 輸入電阻: | 106Ohm |
| 可提供偏壓補償: | |
電流測試 | |
范圍: | 5，從±1μA 到±10mA |
靈敏度: | ＜1pA |
| 可提供漏電保護 | |
| 瞬態(tài)記錄 | |
樣品速率: | 2μs到2000s |
樣品數(shù)量: | 16-16384（opt.64k） |
可調節(jié)抗失真濾膜 | |
| 標準冷卻倉 | |
| 溫度范圍: | 15K-450K或77K~800K |
| 溫度掃描方式： | 使用28個不同的相關功能（軟件）通過一次溫度掃描，給出28個溫度掃描信號。 |
| 典型性能（Schottky Diode，Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 靈敏度: | 10-7 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 發(fā)射率: | 10-3/s |
Options
Constant Capacitance
Optical Excitation
Fast Pulse Interface
±100 V Option
Multi Sample Interface
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移動端
工商已核實
