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面議型號(hào)
磷化銦品牌
埃特曼半導(dǎo)體產(chǎn)地
北京樣本
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磷化銦(InP) 體系外延材料因其在近紅外波段的優(yōu)異性能,以及超高的電子遷移率,在近紅外探測(cè)、光通信、高頻微波射頻領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著現(xiàn)代科技對(duì)數(shù)據(jù)傳輸效率需求的提升,高速光通信對(duì)芯片的性能要求不斷提高。為滿足光電及射頻芯片對(duì)性能的需求,埃特曼采用國際**的 MBE 外延生產(chǎn)技術(shù),為國內(nèi)外客戶提供高質(zhì)量的 InP 外延片。
光電類:
InP PIN
InP APD
射頻類:
InP HBT
暫無數(shù)據(jù)!