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SOI絕緣硅片，SOI是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為'SOI' 的薄層硅上制備。基于SOI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開關(guān)速度，降低功耗，實現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。中慧芯可提供4-8英寸等規(guī)格的SOI硅片。
| 外形尺寸 | 4"、5"、6"、8" |
| 工藝 | Smart cut:Bonding;SIMOX |
| 類型 | N/P |
| 頂層單晶厚度 | 0.22～50μm |
| 埋氧層厚度 | 0.1～4μm |
| 基底層厚度 | 100～500μm |
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