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面議型號(hào)
SiC外延爐品牌
電子科技產(chǎn)地
湖南樣本
暫無(wú)非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結(jié)氣氛：
其他溫控精度：
±1℃最高溫度：
1700℃額定溫度：
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1.晶片尺寸：4”～6”；
2.**溫度：1700℃；
3.控溫精度：±1℃；
4.極限真空：優(yōu)于3Pa；
5.壓力穩(wěn)定性：100~1000mbar；
6.反應(yīng)室漏氣率：1E-10Pa·m3/S
7.工藝氣體：SiH4、C3H8、N2、TMAl ；
8.載氣：Ar、H2 。
1.內(nèi)置式電磁感應(yīng)加熱，升降溫速度快
2.基片氣浮行星旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，溫度、外延膜均勻性好
3.三層水平層流送氣，氣流均勻性好
4.噴淋頭水冷，預(yù)反應(yīng)小
5.手套箱裝取片 ，反應(yīng)室內(nèi)潔凈度高
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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