韓國(guó)三星電子公司宣布，該公司成功開(kāi)發(fā)出使用0.09微米制造工藝的動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存芯片（ D RAM）生產(chǎn)技術(shù)，并將在明年投入批量生產(chǎn)。

　　該項(xiàng)技術(shù)再一次突破了困擾業(yè)界的0.1微米的瓶頸，達(dá)到了納米級(jí)的水平。芯片的柵極尺寸縮小到了50納米以內(nèi)。據(jù)悉，這將是納米級(jí)芯片制造技術(shù)首次在 D RAM芯片生產(chǎn)中得到應(yīng)用。

　　三星電子公司計(jì)劃于明年第三季度將此技術(shù)應(yīng)用于300毫米芯片的生產(chǎn)線，批量生產(chǎn)512兆、1G的DRAM芯片產(chǎn)品。

　　該公司的負(fù)責(zé)人指出：“在半導(dǎo)體工程技術(shù)方面，0.10微米一直被稱為‘魔鬼極限’。在90納米級(jí)的水平上實(shí)現(xiàn) D RAM的批量生產(chǎn)，將使我們?cè)跇I(yè)內(nèi)取得1年以上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。”

　　分析人士指出，與現(xiàn)在廣泛使用的0.13微米技術(shù)相比，新技術(shù)在理論上可以使生產(chǎn)效率提高3倍至4倍，令產(chǎn)品價(jià)格更具競(jìng)爭(zhēng)性。

　　同時(shí)宣布的新產(chǎn)品還包括同樣使用0.09微米技術(shù)制造，容量為2 GB的閃存芯片（ N AND）。這種芯片的容量是原來(lái)的2倍，將于明年上半年投入生產(chǎn)。

　　此前，英特爾、德州儀器等公司曾宣布，將在明年生產(chǎn)的 C PU，SRAM中采用0.09微米技術(shù)。三星電子公司是全球主要的內(nèi)存芯片供應(yīng)商之一。雖然今年半導(dǎo)體行業(yè)仍然不夠景氣，但是預(yù)計(jì)三星電子半導(dǎo)體部門(mén)在三季度的純利將高于二季度的10700億韓元。