在德國(guó)舉行的納米技術(shù)論壇上，研究人員表示，試圖采用該技術(shù)填補(bǔ)未來(lái)半導(dǎo)體制造藍(lán)圖中的空隙。

    英飛凌科技正在開(kāi)發(fā)面向通信技術(shù)的納米技術(shù)應(yīng)用。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導(dǎo)體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管。但他表示，設(shè)計(jì)師還不太清楚這種元件的全部容量。“那很難測(cè)量，”Ebeling說(shuō)。然而，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開(kāi)關(guān)電壓，“至少與CMOS一樣出色，”他補(bǔ)充道。

    盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達(dá)45納米節(jié)點(diǎn)的平面MOSFET，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點(diǎn)SOI上的非平面FinFET結(jié)構(gòu)。Ebeling表示英飛凌正在研究高開(kāi)關(guān)電流比率的FinFET，并有意在其FinFET存儲(chǔ)器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng)。

    芯片設(shè)計(jì)師在采用納米技術(shù)時(shí)還遭遇到一個(gè)老問(wèn)題：隨著結(jié)構(gòu)越來(lái)越小，掩膜成本以指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)�！拔覀冾A(yù)計(jì)一套掩膜的費(fèi)用為530萬(wàn)美元，” Ebeling說(shuō)。此外，曝光系統(tǒng)成本也爆炸性飛漲，預(yù)計(jì)每套步進(jìn)器的價(jià)值大約為8200萬(wàn)美元。