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新型DSC陶瓷基板首次實現(xiàn)高性能IGBT線路刻蝕


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導讀]  近日,深圳后浪實驗室DSC陶瓷基板首次實現(xiàn)高性能IGBT線路刻蝕。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,深圳后浪實驗室利用自主研發(fā)的直接濺射陶瓷基板(Direct Sputtering Ceramic Substrate,DSC)首次完成曝光、顯影、蝕刻等工藝實現(xiàn)IGBT線路雙面刻蝕,制備的IGBT基板銅層厚度達300微米,相對活性釬焊基板(AMB)、直接鍵合基板(DBC),DSC基板具有附著力更強、致密度更高的優(yōu)勢。




陶瓷基板金屬化新技術:DSC


隨著高頻、高功率電子電路的發(fā)展,高功率密度、高度集成化成為發(fā)展特點,傳統(tǒng)的電路基板也逐漸演變?yōu)榈徒殡姄p耗、高導熱、耐熱的陶瓷基板,一般陶瓷與電極銅無法直接潤濕,這使得陶瓷金屬化成為行業(yè)關鍵問題。


陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等。在陶瓷基板加工過程中普遍存在加工溫度過高、金屬膜層含有雜質(zhì)導致電導率不高,生產(chǎn)過程存在污染,尤其是電鍍技術,對環(huán)保挑戰(zhàn)大。


DSC(Direct Sputtering Ceramic):即使用高離化、高沉積效率的新型持續(xù)高功率磁控濺射技術(C-HPMS)直接在陶瓷基板表面沉積一定厚度的金屬導電層,替代DPC工藝,實現(xiàn)高結(jié)合強度和綠色生產(chǎn)。


工藝核心技術:C-HPMS


物理氣相沉積法(PVD)是指在真空條件下,采用物理方法,將原料氣化成氣體原子、分子或電離成離子,并通過濺射或等離子體技術,在基體表面沉積形成薄膜。物理氣相沉積主要方法有真空鍍膜、離子鍍膜等離子體鍍膜濺射鍍膜。濺射鍍膜是目前研究應用較成熟的方法,濺射鍍膜是指在真空條件下,讓具有特定能量粒子轟擊固體(靶材)表面,使固體表面原子獲得足夠能量而逃逸,最終在基材表面上沉積形成薄膜。


濺射鍍膜代表性的方法有二級濺射、三級濺射、磁控濺射、射頻濺射。深圳后浪實驗室提出的持續(xù)高強度磁控濺射技術(C-HPMS),與常規(guī)的磁控濺射、高功率脈沖磁控濺射HiPIMS、電弧離子鍍不同,C-HPMS采用單原子濺射,涂層光滑致密,電離度高,且持續(xù)濺射,占空比高,沉積效率高。


DSC基板通過該技術直接在陶瓷基板表面濺射沉積銅金屬層到厚度0.3mm的陶瓷基板上,通過金屬層設計可實現(xiàn)銅層與陶瓷基板的可靠結(jié)合。這種方法在真空系統(tǒng)中完成,有效避免DBC、AMB陶瓷基板制造過程中的環(huán)境污染、附著力不強、高溫導致的致密度不足等問題,可顯著提高陶瓷基板的結(jié)合強度、致密度以及導電性。


來源:深圳后浪實驗室官網(wǎng)


DSC基板優(yōu)勢及應用發(fā)展


相對DPC技術,采用DSC技術制備陶瓷基板具有以下技術優(yōu)勢:


● 采用DSC技術制備的金屬導電層與陶瓷基板之間結(jié)合強度大幅度提高;

● 金屬導電層表面平滑、組織結(jié)構致密,導電性好;

● 全真空加工環(huán)境、綠色環(huán)保、生產(chǎn)效率高。


DSC工藝可替代DPC中的電鍍,工藝簡單可控,可以同時適用于氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等多種陶瓷基板,避免多種材料、工藝或設備的重復開發(fā)和建設問題,有望降低陶瓷基板的制造成本。


現(xiàn)如今,大到飛機、高鐵、光伏、風電,小到5G基站天線、新能源汽車、機器人、LED路燈均用到IGBT大功率模塊,其工作頻率很高,尤其是集成度很高的單片功率系統(tǒng)。經(jīng)測試,DSC陶瓷基板制備的IGBT線路熱循環(huán)穩(wěn)定性好、熱傳導性能高,適合在新能源汽車、光伏發(fā)電等領域的應用。


目前,深圳后浪實驗室已經(jīng)與國內(nèi)某知名半導體公司在做相關IGBT產(chǎn)品的送樣、驗證工作,并準備轉(zhuǎn)化到泰安巨浪電子材料有限公司進行批量投產(chǎn)。


來源:

吳忠振:綠色高質(zhì)量陶瓷表面金屬化及其應用

莫繼良:物理氣相沉積(PVD)涂層的摩擦學行為研究

深圳后浪實驗室官網(wǎng)


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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