中國粉體網(wǎng)訊  2024年12月20日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京晶亦精微科技股份有限公司取得一項名為“晶圓光電化學(xué)機(jī)械平坦化裝置及方法”的專利，助推晶圓拋光。

發(fā)明專利申請 來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)作為一種工業(yè)上實現(xiàn)超精密機(jī)械加工的技術(shù)，因其能夠完美地兼顧全局平坦化、材料表面缺陷及使用可靠性，而廣泛應(yīng)用于精密光學(xué)、航空航天、信息技術(shù)等領(lǐng)域。

CMP工藝 來源：燕禾等，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備系依托CMP技術(shù)的化學(xué)-機(jī)械動態(tài)耦合作用原理，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化——全局平整落差5nm以內(nèi)的超高平整度；其是一種集摩擦學(xué)、表/界面力學(xué)、分子動力學(xué)、精密制造、化學(xué)/化工、智能控制等多領(lǐng)城最先進(jìn)技術(shù)于一體的設(shè)備，是集成電路制造設(shè)備中較為復(fù)雜和研制難度較大的專用設(shè)備之一。

北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京爍科精微電子裝備有限公司（爍科精微）整體變更發(fā)起設(shè)立的股份有限公司。于2019年9月23日在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)注冊成立，是一家國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司聚焦集成電路核心裝備CMP核心主業(yè)，圍繞產(chǎn)業(yè)化和市場化進(jìn)程中亟待突破的技術(shù)和經(jīng)營短板，不斷推進(jìn)CMP設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，不斷加強(qiáng)能力建設(shè)、構(gòu)建經(jīng)營發(fā)展體系，不斷夯實核心競爭力。

來源：北京晶亦精微科技股份有限公司官網(wǎng)

此發(fā)明提供了一種晶圓光電化學(xué)機(jī)械平坦化裝置及方法，包括加工平臺以及第一拋光盤和第二拋光盤，第一拋光盤的上方設(shè)有第一拋光頭和第一拋光液噴管，第二拋光盤的上方設(shè)有第二拋光頭和第二拋光液噴管；第一拋光盤的上方還設(shè)有紫外燈，第二拋光盤的上方還設(shè)有藍(lán)光燈。該發(fā)明提供的晶圓光電化學(xué)機(jī)械平坦化裝置，在第一拋光盤的上方設(shè)置了紫外燈，利用紫外燈提高晶圓的氧化效率，實現(xiàn)晶圓的快速去除，在第二拋光盤的上方設(shè)置了藍(lán)光燈，利用藍(lán)光燈平衡電化學(xué)機(jī)械拋光過程中晶圓表面電荷，對晶圓的表面形成修復(fù)作用，有助于提高面型質(zhì)量，通過紫外光和藍(lán)光的結(jié)合有效地提高了晶圓的拋光效率，降低了晶圓的損壞概率，提高了晶圓的表面加工質(zhì)量。

參考來源：

[1] 燕禾等，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

[2] 許寧等，CeO2基磨粒在化學(xué)機(jī)械拋光中的研究進(jìn)展

[3] 智研資訊、北京晶亦精微科技股份有限公司官網(wǎng)、國家知識產(chǎn)權(quán)局

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除！