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隨著科學技術(shù)的發(fā)展，不同行業(yè)對新型材料的需求也日益增加。由于金屬材料的自身局限性，在一些領(lǐng)域無法滿足工業(yè)發(fā)展要求，正逐步被結(jié)構(gòu)陶瓷材料所替代。氮化硅陶瓷以其優(yōu)異的機械性（高硬度、高強度和高韌性）、自潤滑性、耐高溫性及化學穩(wěn)定性(耐酸堿和金屬熔體侵蝕)，同時具有優(yōu)良的透明性和透波性，廣泛應用于機械、汽車、航空、電子等領(lǐng)域，如切削刀具、陶瓷軸承、渦輪轉(zhuǎn)子以及散熱基板等。

氮化硅粉體有a、b、g- Si₃N₄三種晶相。α-Si₃N₄在結(jié)構(gòu)上對稱性低、內(nèi)部應變大、自由能較高，為熱力學亞穩(wěn)相[3]。在高溫下(1400℃~1800℃)發(fā)生 α→β 的不可逆轉(zhuǎn)變。g相只有在高壓及高溫下才可以合成制備。因此，α相為氮化硅原料粉體的主要晶相。

對于性能優(yōu)異的陶瓷材料如熱導率高的陶瓷基板、高性能軸承球來說，原料粉體不僅需要純度高，而且還需要滿足高α相、大比表面積、小粒徑等指標。如瑞典Vesta公司以α相比例及比表面積大小將氮化硅粉體分為H、P、S及導熱基板四個級別；日本Denka以比表面積及粒徑將粉體分為兩個級別，兩家公司的共同點都為比表面積越高，粉體級別越高；級別越高的粉體才是制備高導熱陶瓷基板的原料。因為高的比表面積，更有利于燒結(jié)過程中α相粉體的自擴散，促進了α相顆粒重排、溶解析出也稱α-b相變、固相擴散，從而形成更為均勻的顯微結(jié)構(gòu)。

根據(jù)中華人民共和國國家標準GB/T34216-2017，氮化硅的比表面積測試通過N2物理吸附法表征。精微高博自主研發(fā)的高性能靜態(tài)容量法JW-TB400比表面積及孔徑分析儀可測試其比表面積。對不同比表面積的氮化硅粉體重復測試，結(jié)果見表1。六個樣品的相對標準偏差都小于1%，完全滿足科研及企業(yè)客戶對自研產(chǎn)品建立比表面積標準。

表1 不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)

為了提高企業(yè)生產(chǎn)線的測試效率，精微高博自主研發(fā)了高效率的動態(tài)容量法JW-DX400可快速檢測產(chǎn)品的比表面積。對不同比表面積的氮化硅粉體重復測試，結(jié)果見表2。其相對標準偏差都小于1%，完全滿足企業(yè)客戶生產(chǎn)線產(chǎn)品的高效檢測

表2 不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)