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PECVD管式爐
PECVD管式爐

參考價格

面議

型號

PECVD管式爐

品牌

博納熱

產(chǎn)地

河南

樣本

暫無
鄭州博納熱窯爐有限公司

會員

|

第4年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 金屬電熱元件:

    鎳銅絲
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
  • 溫控精度:

    -
  • 最高溫度:

    1200
  • 額定溫度:

    1100
  • 非金屬電熱元件:

    其他
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6543211.jpgpecvd (7).jpgPECVD管式爐,等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積管式爐

PECVD 系統(tǒng)的設(shè)計是為了降低傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度。在傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積前面安裝射頻感應(yīng)裝置,電離反應(yīng)氣體,產(chǎn)生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應(yīng)的進(jìn)行。這個系統(tǒng)叫做 PECVD。

該型號是博納熱**產(chǎn)品,綜合了大多數(shù) PECVD 爐系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn),在 PECVD 爐系統(tǒng)前增加了預(yù)熱區(qū)。試驗(yàn)表明,沉積速度快,膜層質(zhì)量好,孔洞少,不開裂。配備AISO 全自動智能控制系統(tǒng),操作方便,功能強(qiáng)大。

PECVD 爐的應(yīng)用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復(fù)合膜、各種膜的連續(xù)生長。易增加功能,可擴(kuò)展等離子清洗蝕刻等功能。

PECVD管式爐特點(diǎn)

  • 高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術(shù),大大提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)1000s.

  • 高面積均勻性: 先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊氣路分布、加熱技術(shù)等,使薄膜均勻性指數(shù)達(dá)到8%.

  • 高濃度: 使用先進(jìn)的設(shè)計概念的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),一個沉積基板之間的偏差小于2%.

  • 高過程穩(wěn)定性: 高度穩(wěn)定的設(shè)備確保了連續(xù)和穩(wěn)定的過程。

 

PECVD管式爐標(biāo)準(zhǔn)配件

  • 插管4支

  • 爐管1根

  • 真空泵1件

  • 真空密封法蘭2套

  • 真空計1件

  • 氣體輸送和真空泵

  • 射頻等離子體設(shè)備

可選配件

  • 快卸法蘭,三通法蘭

  • 7英寸高清觸摸屏

PECVD管式爐圖片 

PECVD管式爐技術(shù)規(guī)格

一、技術(shù)參數(shù)
型號BR-PECVD-500A
加熱長度和恒溫區(qū)長度440mm, 200mm
爐管尺寸Ф100x1650mm (爐管直徑可根據(jù)實(shí)際需要定制)
**工作溫度1200 oC  (<1小時)
長期工作溫度≤1100℃
電壓及額定功率單相,220V,50Hz
控溫方式

 

?51段可編程控溫,PID參數(shù)自整定,

?操作界面為10”工控電腦,內(nèi)置PLC控制程序,

?可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(時間和距離)設(shè)定為程序控制。

控溫精度± 1 oC
溫度均勻度± 5 oC
加熱速率≦20 oC /分鐘
熱電偶K型 (熱電偶保護(hù)管為純度 99.7%的剛玉管)
加熱元件HRE電阻絲
真空度工作真空度10-2 Pa (冷態(tài)及保溫)

極限真空度10-3 Pa (極限真空度)

爐膛材料氧化鋁、高溫纖維制品

12.jpg


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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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在之前以色列客戶的介紹和肯定下,客戶的朋友簽下了10臺熔煉爐,用于新工廠使用,感謝客戶的信任,工廠員工也在認(rèn)真有序的生產(chǎn)中,期待客戶能夠早日用上設(shè)備

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  • PECVD管式爐的操作規(guī)程有嗎?
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  • PECVD管式爐有現(xiàn)貨嗎?
  • PECVD管式爐包安裝嗎?
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