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目前常規(guī)電滯回線測(cè)試設(shè)備在高壓下測(cè)量電容能量密度存在的問(wèn)題：待測(cè)樣品上的電荷被放回到高壓電源，而不是一個(gè)有效有意義的負(fù)載上。

問(wèn)題主要表現(xiàn)為：

1）對(duì)電源放電時(shí)速度很慢(10-100毫秒)，而實(shí)際上對(duì)負(fù)載放電一般在微秒到毫秒；

2）對(duì)電源放電時(shí)待測(cè)電壓線形下降， 而對(duì)負(fù)載放電時(shí)電壓是指數(shù)下降；

3）電滯回線測(cè)量過(guò)程中程序控制的實(shí)際是電源輸出電壓（假設(shè)樣品電壓與電源電壓一樣），樣品能量放回到了高壓電源；

4）對(duì)負(fù)載放電時(shí)如同自由落體，電壓完全由樣品性能，負(fù)載（阻抗），與其中接線而定。可以選擇一個(gè)與應(yīng)用相似的負(fù)載（成比例縮?。亩_測(cè)得一個(gè)與應(yīng)用相關(guān)的能量密度；

5）一般情況下由電滯回線測(cè)得的能量密度大于電容實(shí)際應(yīng)用時(shí)能放出的能量密度，可能會(huì)誤導(dǎo)用戶(hù)；

主要特點(diǎn)：1）本測(cè)試儀使用特殊高壓開(kāi)關(guān)，分別控制充放電過(guò)程，其中放電開(kāi)關(guān)速度極快，相應(yīng)速度在納秒量級(jí)；

2）使用高精度高壓無(wú)感電阻作為放電負(fù)載，放出的能量有示波器采集，并經(jīng)過(guò)程序分析直接給出放電能量密度；

3）兩種操作模式:

-手動(dòng)控制：用戶(hù)手動(dòng)控制充放電開(kāi)關(guān)；

-自動(dòng)控制：計(jì)算機(jī)程序自動(dòng)控制測(cè)試過(guò)程，并保存測(cè)試結(jié)果。尤其適

合長(zhǎng)期充放電壽命測(cè)試；

主要規(guī)格：1）測(cè)試電壓: 10 kV (由所選高壓開(kāi)關(guān)決定)；

2）樣品電容: < 100 pF to > 100 μF；

3）放電**電流: < 15 A（放電開(kāi)關(guān)型號(hào)決定）；

4）放電電阻: < 1Ω to > 1 MΩ；

5）放電速度: 高壓MOSFET 開(kāi)關(guān)， 放電速度< 100納秒；

6）測(cè)試電流與電壓的精確度由所用電源，樣品大小與放電電阻綜合決定；

7）設(shè)備選項(xiàng)：測(cè)試溫度可以保存；

新加功能：1）測(cè)試介電壓電材料的介電擊穿強(qiáng)度：直流電擊穿，在恒定直流電壓擊穿時(shí)間（耐壓時(shí)間），交流擊穿強(qiáng)度，在恒定交流電壓擊穿時(shí)間（耐壓時(shí)間）；

2）能同時(shí)測(cè)試放電電流（在一定電流范圍內(nèi)）；

3）內(nèi)置示波器；

4）許使用特定的電感/電阻組合，研究放電震蕩；

5）允許反向電壓/電流；

6）提供軟硬件使得用戶(hù)可以極化壓電材料；

7）全新測(cè)試夾具；

8）定制低壓充放電測(cè)試薄膜樣品（100伏）；

歡迎垂詢(xún)！