推薦求解|高純碳粉如何達(dá)到6N以上？

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 20世紀(jì)50年代起半導(dǎo)體材料開(kāi)始發(fā)展，至今為止開(kāi)啟了第三代半導(dǎo)體的時(shí)代。碳化硅（SiC）憑借眾多優(yōu)良性能，使其成為基于寬帶隙半導(dǎo)體的高溫、高電壓、大功率、高頻電子器件和傳感器的襯底上的理想材料。與此同時(shí)，近年來(lái)[更多]