中國(guó)粉體網(wǎng)訊 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是集成電路的關(guān)鍵制造步驟之一，其效果直接影響到晶圓、芯片最終的質(zhì)量和良率。典型的CMP漿料由分散在酸性或堿性溶液中的納米或者亞微米級(jí)磨料組成，磨料顆粒的粒度分布是直接影響CMP效果也即平均磨除率、平整度與均勻性、選擇比和表面缺陷的關(guān)鍵指標(biāo)。
研磨液顆粒尺寸會(huì)對(duì)拋光表面的表面質(zhì)量產(chǎn)生顯著影響。大量所謂的超大顆粒往往會(huì)在拋光的晶片上產(chǎn)生高的劃痕數(shù)。對(duì)于超大顆粒分類的具體界限，目前還沒有達(dá)成一致意見。然而，人們普遍認(rèn)為，在CMP過(guò)程中，大于1.0μm的顆粒肯定會(huì)劃傷大多數(shù)表面。大于0.5μm的顆粒也有可能導(dǎo)致劃痕相關(guān)缺陷。這意外地與最流行的光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器之一的尺寸限制（0.5μm）一致。超大顆粒對(duì)氣相二氧化硅研磨液的影響及其與二氧化硅薄膜劃痕的相關(guān)性，發(fā)現(xiàn)該計(jì)數(shù)與在基底上觀察到的劃痕數(shù)量直接相關(guān)。發(fā)現(xiàn)引起劃痕的顆粒的等效直徑為0.68μm。
隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達(dá)到納米級(jí)。作為芯片制造不可或缺的一環(huán)，CMP工藝在設(shè)備和材料領(lǐng)域歷來(lái)是“兵家必爭(zhēng)之地”。而CMP工藝離不開研磨料的發(fā)展，那么對(duì)于磨料的顆粒粒度表征就顯得尤為重要。
CMP磨料顆粒的典型尺寸范圍是50-250nm，典型的過(guò)大聚集體為1-10μm，并出現(xiàn)在ppm范圍內(nèi)。顆粒表征的挑戰(zhàn)來(lái)自于精確確定納米級(jí)顆粒尺寸，同時(shí)還識(shí)別出相對(duì)較少的微米級(jí)聚集體。CPS納米粒度分析儀是表征磨料顆粒粒度的有力工具。它可以分析任何粒度分布介于0.005和75微米的顆粒，提供比其他粒度分析方法好2到10倍的分辨率。最小峰值寬度可小至峰值直徑的2%，粒徑差別在大于3%的窄峰可以被完全分辨出來(lái)。
儒亞科技(北京)有限公司（簡(jiǎn)稱：儒亞科技）是一家專業(yè)的分析儀器供應(yīng)商和工業(yè)自動(dòng)化物聯(lián)網(wǎng)解決方案提供商，前身是荷蘭安米德公司上海代表處和德國(guó)Rubotherm GmbH中國(guó)分公司。
儒亞科技通過(guò)其世界領(lǐng)先的高速圓盤離心高精度納米粒度分析儀、激光視頻雙通道激光粒度粒形分析儀、高精度在線粘度分析儀、物聯(lián)網(wǎng)油液IoT在線分析系統(tǒng)等產(chǎn)品為各行各業(yè)的生產(chǎn)和研發(fā)賦能。同時(shí)也為新能源、石化、化工、半導(dǎo)體、生物制藥、環(huán)保、新材料等領(lǐng)域提供最新科技前沿的技術(shù)。
在CMP研磨拋光領(lǐng)域，儒亞科技提供兩款粒度表征利器，一款是涵蓋5納米到75微米超寬粒徑范圍的美國(guó)CPS公司的高精度圓盤離心納米粒度分析儀，另外一款是激光和視頻雙通道的荷蘭安米德公司的EyeTech激光粒度粒形分析儀，服務(wù)于CMP漿料的粒度和粒形表征�？梢杂行y(cè)量得到漿料磨料顆粒的粒徑大小、粒徑分布均一性、顆粒的圖像以及每個(gè)顆粒的40個(gè)形狀參數(shù)，從而保證拋光的效果，降低缺陷并提高良率。
2024年7月9日，中國(guó)粉體網(wǎng)將在鄭州舉辦“2024高端研磨拋光材料技術(shù)大會(huì)”。屆時(shí)，儒亞科技(北京)有限公司總經(jīng)理熊向軍將帶來(lái)《高速離心納米粒度儀在超硬材料和高效研磨領(lǐng)域的應(yīng)用》的報(bào)告，報(bào)告中詳細(xì)介紹用于研磨拋光行業(yè)中的兩款納米粒度分析儀。
來(lái)源：Royalab、儒亞科技官網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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