中國粉體網訊  8月6日，安徽陶芯科半導體新材料有限公司（簡稱：陶芯科）與安徽工程大學的合作簽約儀式盛大舉行，雙方攜手共同成立覆銅陶瓷基板聯(lián)合研發(fā)中心。

強強聯(lián)手，攻克難題

安徽工程大學是一所以工為主的省屬多科性高等院校和安徽省重點建設院校，在信息功能陶瓷材料、無機半導體材料、金屬材料及增材制造、能量轉換與存儲材料等方面具有明顯特色與優(yōu)勢。

陶芯科專注從事功率半導體用高性能覆銅陶瓷基板(DBC)的設計、研發(fā)、生產和銷售。公司產品被廣泛運用于IGBT功率模塊、半導體制冷器、5G射頻器件、整流橋晶閘管、變頻器、新能源汽車、汽車充電樁、風力發(fā)電、智能電網、航空航天等領域。目前，陶芯科投資建設的高性能陶瓷覆銅基板生產項目一期年產120萬片DBC覆銅陶瓷基板已于2023年6月建設完畢進入投產階段，新增產值1.5億元。

雙方決定在覆銅陶瓷基板的新工藝開發(fā)、陶瓷基板原材料的制作等多方面進行深入研發(fā)，共同攻克技術難題，提升產品性能和質量。此外，還將積極申報重大科技專項項目，爭取更多的政策支持和資源投入，為推動我國半導體材料領域的創(chuàng)新發(fā)展貢獻力量。

覆銅陶瓷基板散熱核心封裝材料

近年來，新能源汽車的爆發(fā)式發(fā)展，也帶來了車規(guī)功率模塊需求的快速增長。

覆銅陶瓷基板是通過特殊工藝在陶瓷基片單/雙表面結合銅材的基板，在功率半導體產品中應用廣泛，重要性僅次于芯片，是高功率高散熱產品的核心封裝材料之一。

陶瓷覆銅板按照工藝一般可分為：DPC（直接電鍍陶瓷基板）、DBC（直接覆銅陶瓷基板）和AMB（活性金屬釬焊陶瓷基板），具有導電互聯(lián)、電氣絕緣、散熱通道和機械支撐等優(yōu)良功能。其中DBC和AMB在功率半導體中被大量應用。尤其是Si3N4 AMB陶瓷基板很好地滿足了車規(guī)SiC功率模塊的性能需求。

來源：公司官網、今日祁門

（中國粉體網編輯整理/空青）

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