中國粉體網(wǎng)訊  近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種散熱結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備”的專利，公開號CN 119497336 A。

隨著電子設(shè)備性能的提升，相應(yīng)功率器件的散熱要求也相應(yīng)提高。以開關(guān)電源為例，作為一種典型的高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，隨著人工智能(artificial intelligence，AI)、第五代移動通信(5th generation mobile networks，5G)及云等應(yīng)用的快速發(fā)展，超算中心、服務(wù)器、路由器的功耗需求不斷提升；在電源功率密度不斷提升的同時，需要適應(yīng)電源的高密度小型化發(fā)展趨勢，散熱問題是制約電源高密發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸之一。因此，需要在器件功率不斷增加，體積不斷縮小的情況下，有效提升高功率器件的散熱效果。

華為公開的相關(guān)專利提供了一種散熱結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，通過散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，能夠有效提升散熱能力，滿足高密度小型化應(yīng)用場景的散熱性能要求。

一方面提供了一種散熱結(jié)構(gòu)，該散熱結(jié)構(gòu)包括冷卻裝置、導熱層、第一電路板以及第一功率器件；其中，第一功率器件固定設(shè)置在第一電路板的第一板面上，形成功率組件；第一電路板與冷卻裝置固定連接，且該第一電路板的第二板面與冷卻裝置的連接面相抵接；在冷卻裝置的連接面設(shè)置有內(nèi)凹部，該內(nèi)凹部的外廓位于第一電路板與冷卻裝置相抵接的區(qū)域內(nèi)，半固態(tài)導熱材料置于內(nèi)凹部中形成導熱層。如此設(shè)置，基于該內(nèi)凹部可控制半固態(tài)導熱材料相對于板面產(chǎn)生滑移，可避免半固態(tài)導熱材料垂流影響導熱界面的接觸面積，從而有效地將熱量傳導至冷卻裝置，為滿足高功率密度產(chǎn)品布局的散熱要求提供了技術(shù)保障。

本申請實施例提供的一種散熱結(jié)構(gòu)的示意圖

另外，基于半固態(tài)導熱材料較高的導熱系數(shù)，在導熱的同時填充空隙，可降低散熱結(jié)構(gòu)的絕對熱阻，實現(xiàn)低熱阻高導熱散熱。與此同時，基于該散熱結(jié)構(gòu)的良好散熱能力，第一功率器件可利用第一電路板與其他功率器件之間可靠通流連接。此外，在提高導熱性能并改善散熱效果的基礎(chǔ)上，半固態(tài)導熱材料置于內(nèi)凹部中，第一電路板與冷卻裝置的抵接面之間直接相抵接觸，半固態(tài)導熱材料的配置不會增加板面厚度方向上的尺寸，能夠合理控制散熱結(jié)構(gòu)的厚度尺寸，符合產(chǎn)品小型化的設(shè)計趨勢。

在半固態(tài)導熱材料選擇上，可選用導熱硅脂、導熱硅膠或者導熱凝膠，如導熱系數(shù)為6W/(m·K)的導熱凝膠。

參考來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

（中國粉體網(wǎng)/山川）

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