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美國(guó)SVT Laser MBE
Laser MBE具備PLD和傳統(tǒng)MBE的特性，可對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速率進(jìn)行精確（原子層級(jí)別）控制。通過(guò)在MBE系統(tǒng)上增加激光燒蝕工藝，系統(tǒng)可以生長(zhǎng)包括高熔點(diǎn)陶瓷以及多元素固體材料等。SVT有18年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)，我們擅于通過(guò)原位的監(jiān)控測(cè)量?jī)x器來(lái)提高薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量。其中原位測(cè)量?jī)x器包括：溫度測(cè)量、厚度測(cè)量、RHEED、束流監(jiān)控等。如果您想了解更多這方面的信息，
應(yīng)用：
可用于研究氧化物半導(dǎo)體， 高溫超導(dǎo)材料，光學(xué)晶體，電光學(xué)薄膜，鐵電以及鐵磁材料等。
標(biāo)準(zhǔn)性能：
超高真空（本底壓強(qiáng)<1E-10 Torr）；
多種生長(zhǎng)模式的源集成，包括：
RF等離子體
蒸發(fā)源
電子束蒸發(fā)
臭氧傳送系統(tǒng)
先進(jìn)的原位監(jiān)控儀（可選）
原子吸收束流監(jiān)控儀
RHEED
溫度以及厚度監(jiān)控儀
6個(gè)可旋轉(zhuǎn)PLD靶
高功率準(zhǔn)分子激光器
提供合適的泵抽組合
多種腔室配置以滿足您的需求
培訓(xùn)以及服務(wù)支持
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