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碳化硅SiC
供應(yīng)2,3,4,6英寸，切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。
碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場(chǎng)強(qiáng)(約為硅的10倍)、
高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性，是制作高溫、
高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。
同時(shí)，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，
用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。
這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)
力發(fā)電、混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
尺寸：2,3,4,6英寸；
晶向：On axis：±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI
Off axis：4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI
厚度(um)：350±25
直徑(mm)：50.8±0.3
表面粗糙度：Polish Ra≤1nm，CMP Ra≤0.5nm
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