認(rèn)證信息
高級(jí)會(huì)員 第 3 年
名 稱(chēng)：大塚電子（蘇州）有限公司認(rèn) 證：工商信息已核實(shí)
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產(chǎn)品分類(lèi)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
即時(shí)檢測(cè)
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板于減薄制程中的厚度變化
(強(qiáng)酸環(huán)境中)
產(chǎn)品特色
非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè)
采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性
可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)
可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測(cè)
可對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線(xiàn)或者設(shè)備中
體積小、省空間、設(shè)備安裝簡(jiǎn)易
可對(duì)應(yīng)線(xiàn)上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求
采用*適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法。(已取得**)
可自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)
規(guī)格式樣
SF-3 | |
|---|---|
膜厚測(cè)量范圍 | 0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
重復(fù)精度 | 0.001% 以下 |
測(cè)量時(shí)間 | 10msec 以下 |
測(cè)量光源 | 半導(dǎo)體光源 |
測(cè)量口徑 | Φ27μm※2 |
WD | 3 mm ~ 200 mm |
測(cè)量時(shí)間 | 10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類(lèi)不同,厚度測(cè)量范圍不同
※2 *小Φ6μm
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