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PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統(tǒng)，該產(chǎn)品是原位透射電子顯微鏡實驗系統(tǒng)，使研究

者可以在透射電子顯微鏡中構建一個可控的多場環(huán)境（包括力、熱、光、電等），從而對材料或者

器件等樣品實現(xiàn)多重激勵下的原位表征。 

性能指標

 透射電鏡指標：

● 兼容指定電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

● 電流分辨率：優(yōu)于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統(tǒng)真空指標；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標：

● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準確度優(yōu)于 5% ；

● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃。

應用場景

 可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加至多四種激勵，實現(xiàn)多種復雜的測

試功能，完成以往無法實現(xiàn)的研究。

（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學STM探針）；

（2）熱電子發(fā)射/場發(fā)射（加熱芯片+電學STM探針）；

（3）三端器件測量（電學芯片+電學STM探針）；

（4）電致發(fā)光現(xiàn)象研究（電學芯片+光學STM探針）；

（5）光電現(xiàn)象研究（電學芯片+光學STM探針）。

產(chǎn)品特色

穩(wěn)定性高

輕松獲得大幅度運動中的高分辨像，適用于更廣泛的應用場景和樣品體系。

很長的壽命

**技術（**種類：實用新型（具備高分辨多維操縱和電學測量的電子顯微鏡原位樣品桿） 

**號：202020944865 .4）的“爪-球”結構探針桿因其獨特的結構設計，是公認皮實耐用的探

針桿。

很低維護成本

設備配套的針尖制備系統(tǒng)可低成本制備針尖耗材?！弊?球“微動結構已實現(xiàn)模塊化量產(chǎn)，維護成

本低。

很大的用戶群

在國內擁有近200個高質量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產(chǎn)出大量高質量研究成果

。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術平臺供用戶交流。