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HSE200/230設(shè)備是針對(duì)MEMS及先進(jìn)封裝領(lǐng)域開(kāi)發(fā)的深硅刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下MEMS刻蝕，以及8-12英寸先進(jìn)封裝硅刻蝕。設(shè)備針對(duì)研發(fā)/中試線/量產(chǎn)領(lǐng)域可以靈活配置平臺(tái)方式。HSE200/230采用雙等離子源設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)先進(jìn)封裝領(lǐng)域硅材料高速、高產(chǎn)能的需求，同時(shí)保證200mm/300mm晶圓的均勻性控制。同時(shí)采用脈沖偏壓設(shè)計(jì)，保證TSV高深寬比及優(yōu)異的形貌控制。目前HSE 200/230已在客戶現(xiàn)場(chǎng)大規(guī)模使用，設(shè)備穩(wěn)定性、重復(fù)性、產(chǎn)品生產(chǎn)良率等均滿足用戶需求。
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