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半絕緣型單晶襯底品牌
晶沐光電產(chǎn)地
江蘇樣本
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介紹：碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。
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應(yīng)用：在5G基站建設(shè)中，用于制作氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）等射頻功率放大器器件；在衛(wèi)星通信的射頻器件；可用于制作紫外探測器；在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）衍射光波導(dǎo)中可作為理想的波導(dǎo)材料；高溫壓力傳感器、高頻振動傳感器、輻射傳感器等。
碳化硅4H-HPSI高純半絕緣型單晶襯底（2~6英寸） | ||||
直徑 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm |
厚度 | 500μm | 500μm | 500μm | 500μm |
表面晶向 | {0001} ± 0.2° | |||
主參考面晶向 | <11-20>± 5.0? | <1-100>±5° | ||
主參考面長度 | 16mm | 22mm | 32.5mm | Notch |
次參考面位置 | Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0? | N/A | ||
次參考面長度 | 8mm | 11mm | 18mm | N/A |
電阻率 | ≥1E7 Ω·cm | |||
正面狀態(tài) | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | |||
反面狀態(tài) | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | |||
鐳刻碼面 | Back side：C-Face | |||
總厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤15μm |
彎曲度BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm |
翹曲度WARP | ≤30μm | ≤35μm | ≤40μm | ≤60μm |
邊緣去除 | ≤3 mm | |||
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碳化硅單晶 Silicon carbide | |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.26eV |
熔點(diǎn)（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
熱導(dǎo)率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(shù)(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常數(shù)(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
擊穿電場(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指數(shù)（power） | 410 |
BFM指數(shù)(SW) | 290 |
BHFM指數(shù)(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
介紹：碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。
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應(yīng)用：在5G基站建設(shè)中，用于制作氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）等射頻功率放大器器件；在衛(wèi)星通信的射頻器件；可用于制作紫外探測器；在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）衍射光波導(dǎo)中可作為理想的波導(dǎo)材料；高溫壓力傳感器、高頻振動傳感器、輻射傳感器等。
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應(yīng)用：在5G基站建設(shè)中，用于制作氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）等射頻功率放大器器件；在衛(wèi)星通信的射頻器件；可用于制作紫外探測器；在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）衍射光波導(dǎo)中可作為理想的波導(dǎo)材料；高溫壓力傳感器、高頻振動傳感器、輻射傳感器等。
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