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常規(guī)C向襯底
常規(guī)C向襯底

參考價格

面議

型號

常規(guī)C向襯底

品牌

晶沐光電

產(chǎn)地

江蘇

樣本

暫無
江陰晶沐光電新材料有限公司

高級會員

|

第1年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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  • 純度:

    -
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介紹化學(xué)式(α-Al2O3),為六方晶格結(jié)構(gòu)?;瘜W(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,不溶于水,耐強(qiáng)酸、強(qiáng)堿的腐蝕。莫氏硬度9級,熔點為2050℃,沸點3500℃,**工作溫度可達(dá)1900℃。透光性好,熱傳導(dǎo)性和電氣絕緣性,力學(xué)機(jī)械性能表現(xiàn)優(yōu)秀,具有耐磨和抗劃傷的特點。

?

應(yīng)用:LED(氮化鎵基LED)、激光二極管(藍(lán)光、紫外)、射頻器件(5G通信、雷達(dá))、功率電子器件(電動汽車、工業(yè)電源)。


產(chǎn)品規(guī)格書

藍(lán)寶石常規(guī)C向單晶襯底(1~12英寸)

材料成分

>99.99%,High Purity, Mono-crystalline Al2O3 (KY)

直徑

25.4mm

50.8mm

76.2mm

100mm

125mm

150mm

200mm

300mm

厚度

500μm

430μm

500μm

650μm

800μm

1000μm

1200μm

2000μm

端面晶向

C-plane(0001) off-angle toward M-axis(10-10) 0.2 +/- 0.1°

0 ± 0.5°

C-plane(0001) off-angle toward A-axis(11-20) 0 +/- 0.1°

0 ± 0.5°

定位邊晶向

A-Plane(11-20) ± 1.0°

定位邊長度

8mm

16mm

22mm

30mm

30mm

47.5mm

Notch

Notch

正面狀態(tài)

Epi-polished,Ra<0.3nm

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面狀態(tài)

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm

DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

鐳刻碼面

Back side

N/A

總厚度偏差TTV

≤5μm

≤8μm

≤10μm

≤10μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

彎曲度BOW

≤8μm

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤45μm

翹曲度WARP

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

≤60μm

≤60μm

邊緣去除

≤2 mm

≤3 mm

?

產(chǎn)品性能表

藍(lán)寶石單晶 Sapphire

晶體結(jié)構(gòu)

六方晶體

禁帶寬度(eV)

/

熔點(℃)

2040℃

莫氏硬度(mohs)

9

熱導(dǎo)率(W·cm-1·℃-1)

0.46W·cm-1·℃-1

熱膨脹系數(shù)(℃-1)

6.7*10-6 // C-axis
5.0*10-6 ⊥C-axis

晶格常數(shù)(nm)

a=4.76? c=12.99?

折射率

1.762~1.777

透過率

測試樣品:藍(lán)寶石:直徑76.2毫米×厚度4毫米
紫外線:波長200至380納米,透過率74%至84%
可見光:波長380至760納米,透過率85%
紅外線:波長760至1000納米,透過率85%
遠(yuǎn)紅外線:波長大于1000納米,透過率80%至100%


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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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