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介紹：碳化硅襯底是第三代半導體材料，屬于寬禁帶半導體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。
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應用：激光剝離測試材料，半導體芯片材料的分析與測試，高端光學領域。
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碳化硅晶棒及特殊尺寸規(guī)格 | |||
型號 | 4H-N導電型 ∣ 4H-HPSI高純半絕緣型 | ||
類型 | 晶錠與晶棒 | 晶片 | 異形規(guī)格 |
尺寸規(guī)格案例1 | 4英寸*T10mm晶棒 | 2英寸*T3.0mm厚片 | 碳化硅圓環(huán)方塊 |
尺寸規(guī)格案例2 | 6英寸*T20mm晶棒 | 2英寸*T0.1mm超薄 | 碳化硅眼鏡光學鏡片 |
尺寸規(guī)格案例3 | 8英寸*T20mm晶棒 | 3英寸*T5.0mm厚片 | 碳化硅打孔 |
尺寸規(guī)格案例4 | 2~8寸晶錠 | 6英寸*T1.0mm厚片 | 碳化硅激光切割 |
尺寸規(guī)格案例5 | 晶棒拋光 | 直徑159*T0.725mm載片 | 碳化硅雕刻 |
表面狀態(tài) | 切割 | 研磨 | 拋光 |
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碳化硅單晶 Silicon carbide | |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.26eV |
熔點（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(shù)(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常數(shù)(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
擊穿電場(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指數(shù)（power） | 410 |
BFM指數(shù)(SW) | 290 |
BHFM指數(shù)(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
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