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碳化硅基氮化鎵外延HEMT品牌
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介紹：碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-SiC HEMT）外延技術(shù)是在碳化硅（SiC）襯底上生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）薄膜，結(jié)合了GaN的高頻高功率性能和SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性。
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應(yīng)用：用于5G基站中的射頻功率放大器；雷達(dá)系統(tǒng)；衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的高功率放大器、高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)充電器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器；無(wú)線通信基站中的射頻前端模塊等。
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