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霍爾效應測試儀

霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。

Hall8800霍爾效應測試儀介紹

　　該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀，在國內(nèi)高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知名度。

　　主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或體材料均可，其原理主要依據(jù)范德堡法則

　　儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或體材料均可，其原理主要依據(jù)范德堡法則。

　　除了用來判斷半導體材料之型態(tài)(n或p)以外，它也可應用于LED磊晶層的質(zhì)量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助。

　　Hall8800可說是一套功能強大、應用廣泛的系統(tǒng)，再加上平實的價格， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。

　　目前廣泛應有于半導體廠商。

　　主要特點

　　1、高精密度電流源

　　輸出電流之精確度可達2nA，如此微小之電流可用于半絕緣材料之量測，即高電阻值材料之量測。

　　2、高精密度電表

　　使用超高精度電表，電壓量測能力可達nV等級，上限可達300V，極適合用于量測低電阻值材料。

　　3、外型精簡、操作簡單

　　外型輕巧、美觀大方，磁鐵組之極性更換也很靈活容易，獨特之液氮容器設(shè)計，可確保低溫量測之穩(wěn)定性**。

　　4、I-V曲線

　　采用圖表的方式，測量探針四點(A、B、C、D)間電流-電壓曲線，藉此評判樣品的歐姆接觸好壞。

　　5、單純好用之操作畫面

　　使用者只需在同一張操作畫面中，就可以完成所有的設(shè)定，實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，并在同一張畫面中顯示出來，省卻畫面切換的麻煩，結(jié)果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、等重要實驗數(shù)據(jù)。

　　6、自行開發(fā)之彈簧樣品夾具，特殊設(shè)計之彈簧探針，其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸，提高量測之可靠度。

　　技術(shù)參數(shù)

　　磁場強度：0.65T/1T;

　　常溫和液氮溫度(77K)下測量;

　　輸出電流：2nA-100mA;

　　遷移率(cm2/Volt-sec):1-107

　　阻抗:10-6 to 107

　　載流子濃度(cm-3):107 - 1021

　　樣品夾具：

　　Hall8800彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩)；

　　測量材料：所有半導體材料包括Si，ZnO，SiGe，SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可測量)

　　儀器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm

　　儀器重量：6kg