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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 立式品牌
山東力冠產(chǎn)地
山東樣本
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產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
? 基礎(chǔ)工藝包
Basic process package
1.氮化鎵(GaN)單晶生長尺寸: 2英寸
Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches
2.單晶生長速率:≥50微米/小時(shí)
Single crystal growth rate:≥50 microns/hour
3.藍(lán)寶石襯底外延生長氮化鎵(GaN)單晶層厚度: < 200微米
暫無數(shù)據(jù)！
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