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HGL1151系列是集成了通用智能核心技術(shù)的半導體晶圓Low-K層開槽設備，全自動一站式加工，晶圓上料→預清洗+保護層涂布→激光開槽→后清洗+干燥→晶圓下料，所有工藝過程一氣呵成。產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng)，標配超高精密氣浮式高速加工平臺，切割過程實時監(jiān)控··實時糾偏等功能，確保Low-K晶圓開槽的精度一致性和質(zhì)量的穩(wěn)定性。本產(chǎn)品的開槽精度高，槽形優(yōu)異，尤其對熱影響區(qū)的控制達到國際**水準。主要技術(shù)性能達到國內(nèi)**，部分技術(shù)性能超過國際同類產(chǎn)品，是全面替代進口開槽設備的**選擇。

Low-K激光開槽工藝優(yōu)勢

? 非接觸加工、無物理應力、無晶圓碎裂風險

? 通過動態(tài)激光實時控制，工藝設置簡單靈活

  ①自由改變開槽寬度

  ②自由設置槽底平滑度

? 運用方便，運用成本低

  ①一次定位、一次清洗，

  ②工藝過程清潔

  ③無環(huán)境污染

  ④基本無耗材，運用成本極低

技術(shù)原理

? 運用高性能空間光整形技術(shù)按需調(diào)制輸出激光形態(tài)

  ①切割道兩側(cè)以極細的雙光束刻畫出邊界細槽

  ②以平頂多光束激光在邊界槽內(nèi)側(cè)切割道開槽

? 運用高性能實時動態(tài)激光控制技術(shù)確保開槽精度

  ①實時控制激光束對槽壁垂直度的加工精度

  ②實時控制激光束對槽底平整度的加工精度

? 超快速脈沖激光束對Low-K材料進行精確去除

? 開槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以內(nèi)

Low-K材料開槽工藝制程

? Low-k（低介電常數(shù)）材料是線寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料

? Low-K 材料機械特性脆弱，易碎

? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低，易剝離易分層

? 帶有 Low-K 層的半導體晶圓無法承受傳統(tǒng)刀輪切割的機械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前，需導入 Low-K 開槽工藝，以避免后續(xù)切割制程對 Low-K 材料層造成傷害